<1> SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命  = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命  = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。 我的建议是 64G 的选择MLC 因为寿命长点 用的时间也长点 如果128G以上TLC的寿命也可以接受 <2> 需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。 面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异         SLC 利用正、负两种电荷  一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。         MLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC【容量大了一倍，寿命缩短为1/10】。         TLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20】。 ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

关于//TLC

　　最后来说一下NAND最基本的分类，就是SLC、MLC、TLC它们的差别。

　　SLC = Single-Level Cell，即1 bit per cell，只存在0和1两个充电值，结构简单但是执行效率高。SLC闪存的优点是传输速度更快，功率消耗更低和存储单元的寿命更长。然而，由于每个存储单元包含的信息较少，其每百万字节需花费较高的成本来生产，约10万次擦写寿命，在企业级SSD上比较常见，例如比较经典的Intel X25-E系列，此外还在某些高端U盘上使用。

　　MLC = Multi-Level Cell，即2 bit per cell，有00,01,10,11四个充电值，因此需要比SLC更多的访问时间，不过每个单元可以存放比SLC多一倍的数据。MLC闪存可降低生产成本，但与SLC相比其传输速度较慢，功率消耗较高和存储单元的寿命较低，约3000---10000次擦写寿命，大多数消费级SSD都是使用MLC做的。

　　TLC = Trinary-Level Cell，即3 bit per cell，每个单元可以存放比MLC多1/2的数据，共八个充电值，所需访问时间更长，因此传输速度更慢。TLC优势价格便宜，每百万字节生产成本是最低的，但是寿命短，只有约500次擦写寿命，通常用在U盘或者存储卡这类移动存储设备上。